دانلود کتاب The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices

Name: The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Availability: InStock
Author: Zhiqiang Li (auth.)
ISBN: 9783662496817,9783662496831

by Zhiqiang Li (auth.)

عنوان فارسی: مهندسی منبع / تخلیه دستگاه های MOS مبتنی بر نانو گنوم
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg
سال: 2016
ویرایش: 1
زبان: انگلیسی
تعداد صفحه (نسخه چاپی - نسخه الکترونیکی): XIV, 59-71
شابک: 9783662496817,9783662496831
نوع فایل: PDF دانلود نرم افزار مطالعه
حجم: 3.80 مگابایت

گزارش تخلف

دانلود کتاب

افزودن خلاصه فارسی

جزییات کتاب

This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600℃ and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10−7Ω•cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node.

کتاب های مرتبط

این کتاب رو مطالعه کردید؟ نظر شما چیست؟

برای ارسال نظر، لطفا وارد شوید.

نظر دهید

Adding comments has been disabled.

نظرات (0)

هنوز نظری داده نشده است. شما اولین باشید!