جزییات کتاب
فیزیک نیمرسانا، را میتوان شاخهای از فیزیک ماده چگال دانست که به بررسی خواص فیزیکی مواد نیمرسانا میپردازد. مواد نیمرسانا، به دلیل کنترلپذیری خواص فیزیکیشان و ویژگیهای منحصر به فردی که از خود بروز میدهند، اصلیترین جزء طراحی و ساخت قطعات الکترونیکی به شمار میآیند. تحقیقات بسیار زیادی در سرتاسر جهان، برای یافتن و ساخت ترکیبات نیمرسانای جدید و دارای کیفیتهای بهتر در جریان است.
کتاب، با بررسی مقاومت ویژهی مواد که مرز بین رسانا، نیمرسانا و نارسانا را مشخص میکند آغاز میشود و در ادامه به بررسی اثر حاملها و کنترل مقاومت ویژه بوسیلهی آلایش نیمرساناها میپردازد. سپس بحثهایی در خصوص تکنیکی در خصوص عیوب ساختاری، نیمرساناهای اکسیدی و ساختار ماسفتها انجام میشود و در نهایت ویژگیهای نوری نیمرساناها که در صنایع لیزری و تصویربرداری استفادهی روزافزون یافتهاند شرح داده میشود.
این کتاب، مشتمل بر ۱۲فصل، مطالب زیر را از دیدگاهی تخصصی مورد بررسی قرار داده است:
فصل۱. مقاومت ویژه
فصل۲. حامل و چگالی آلایش
فصل۳. تقابل "مقاومت ویژه" و "سدهای شاتکی"
فصل۴. مقاومتهای متوالی، عرض و طول کانال و ولتاژ آستانه
فصل۵. عیوب ساختاری
فصل۶. اکسیدها و بارهای به دامافتادهی سطحی، ضخامت اکسید
فصل۷. طول عمر حاملها
فصل۸. تحرکپذیری (موبیلیتی)
فصل۹. مشخصات بار-پایه و کاوشگری
فصل۱۰. ویژگیهای نوری
فصل۱۱. مشخصات فیزیکی و شیمیایی
فصل۱۲. تحلیل قابلیت اطمینان و خرابیها
Summary by identity061
This Third Edition updates a landmark text with the latest findingsThe Third Edition of the internationally lauded Semiconductor Material and Device Characterization brings the text fully up-to-date with the latest developments in the field and includes new pedagogical tools to assist readers. Not only does the Third Edition set forth all the latest measurement techniques, but it also examines new interpretations and new applications of existing techniques.Semiconductor Material and Device Characterization remains the sole text dedicated to characterization techniques for measuring semiconductor materials and devices. Coverage includes the full range of electrical and optical characterization methods, including the more specialized chemical and physical techniques. Readers familiar with the previous two editions will discover a thoroughly revised and updated Third Edition, including: * Updated and revised figures and examples reflecting the most current data and information * 260 new references offering access to the latest research and discussions in specialized topics * New problems and review questions at the end of each chapter to test readers' understanding of the material In addition, readers will find fully updated and revised sections in each chapter.Plus, two new chapters have been added: * Charge-Based and Probe Characterization introduces charge-based measurement and Kelvin probes. This chapter also examines probe-based measurements, including scanning capacitance, scanning Kelvin force, scanning spreading resistance, and ballistic electron emission microscopy. * Reliability and Failure Analysis examines failure times and distribution functions, and discusses electromigration, hot carriers, gate oxide integrity, negative bias temperature instability, stress-induced leakage current, and electrostatic discharge. Written by an internationally recognized authority in the field, Semiconductor Material and Device Characterization remains essential reading for graduate students as well as for professionals working in the field of semiconductor devices and materials.An Instructor's Manual presenting detailed solutions to all the problems in the book is available from the Wiley editorial department.BooknewsDevoted to the characterization techniques used by the modern semiconductor industry to measure diverse semiconductor materials and devices. Coverage includes the full range of electrical and optical characterization methods; more specialized chemical and physical techniques; and innovations such as scanning probe techniques, the detection of metallic impurities in silicon wafers, and the use of microwave reflection to measure contactless resistivity. A new chapter addresses reliability and probe microscopy.